من أجل اختياَر موقع الذاكرة، يمكن أن يحفز خط X واحد وخط Y واحد بنصف التيار المطلوب ليسبب هذا التغيير(تغيير القطبية).
To select a memory location, one of the X and one of the Y lines are driven with half the current ("half-select") required to cause this change.