تعاريف أخرى تتبع مختلف الآليات المادية (قمم الانبعاثات، مقابل العصابات، وامتصاص الماء)، ومتابعة أحدث أسباب فنية (وكواشف السيليكون المشتركة حساسة لحوالي 1،050 ميل بحري، في حين InGaAs 'الحساسية يبدأ حوالي 950 نانومترا وينتهي بين 1،700 و2،600 ميل بحري، اعتمادا على تكوين محددة).
Other definitions follow different physical mechanisms (emission peaks, vs. bands, water absorption) and the newest follow technical reasons (The common silicon detectors are sensitive to about 1,050 nm, while InGaAs' sensitivity starts around 950 nm and ends between 1,700 and 2,600 nm, depending on the specific configuration).