ذلك بسبب أن الأنابيب النانوية أحادية الجدار هي عبارة عن p-FETs عندما تعرضت للأكسجين و n-FETs دون ذلك، ومن ثم فمن الممكن هنا حماية نصف الأنبوب النانوي أحادي الجدار من التعرض للأكسجين.
Because SWNTs are p-FETs when exposed to oxygen and n-FETs otherwise, it is possible to protect half of an SWNT from oxygen exposure, while exposing the other half to oxygen.