On April 23 Valov, et al., argued that the current memristive theory must be extended to a whole new theory to properly describe redox-based resistively switching elements (ReRAM).
در تاریخ 23 آوریل والوو، و همکاران، استدلال کرد که تئوری memristive فعلی باید به یک نظریه جدید گسترش به درستی عناصر سوئیچینگ مقاومتی مبتنی بر اکسیداسیون و کاهش (ReRAM) توصیف می کنند.