metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
metallorgaanilised keemilise aurustamise-sadestamise reaktorid (MOCVD), mis on spetsiaalselt kavandatud ühendpooljuhtkristallide kasvatamiseks punktis 3C003 või 3C004 nimetatud materjalide vahelise keemilise reaktsiooni abil;