Şimdiye kadar, elmas üzerinde GaN yapısı oluşturmaya yönelik çeşitli girişimler yapılmış ve bu girişimlerde iki bileşen, bir çeşit geçiş veya yapışkan katmanıyla birleştirilmeye çalışılmış. Fakat ilave katman, elmasın ısıl iletkenliğine önemli oranda müdahale etmiş ve GaN-elmas bileşiminin taşıdığı önemli bir avantajı ortadan kaldırmış.
Şimdiye kadar, elmas üzerinde GaN yapýsý oluşturmaya yönelik çeşitli girişimler yapýlmýş ve bu girişimlerde iki bileşen, bir çeşit geçişveya yapýşkan katmanýyla birleştirilmeye çalýşýlmýş. Fakat ilave katman, elmasýn ýsýl iletkenliğine önemli oranda müdahale etmiş ve GaN-elmas bileşiminin taşýdýğý önemlibir avantajý ortadan kaldýrmýş.