Şimdiye kadar, elmas üzerinde GaN yapısı oluşturmaya yönelik çeşitli girişimler yapılmış ve bu girişimlerde iki bileşen, bir çeşit geçiş veya yapışkan katmanıyla birleştirilmeye çalışılmış. Fakat ilave katman, elmasın ısıl iletkenliğine önemli oranda müdahale etmiş ve GaN-elmas bileşiminin taşıdığı önemli bir avantajı ortadan kaldırmış.
Şimdiye kadar, elmas üzerinde GaNyapıs oluşturmaya yönelik çeşitli girişimler yapılmış ve bu girişimlerde iki bilşen, bir çeşit geçiş veya yapışkan katmanıla birleştirilmeye çalışılmış. Fakat iave katman, elmasın ısıl iletkenliğine önemli oranda müdahale etmiş ve GaN-elmas bileşiminin taşıdığı önemli bir avantajı ortadan kaldırmış.