“Fakat bu malzemelerin kristal yapılarında ve kafes sabitlerinde büyük farklılıklar olduğundan, GaN’da doğrudan elmas çoğaltılması veya bunun tersi mümkün değil.” Araştırmacılar iki gün önce Advanced Materials bülteninde sundukları makalede, yüzey aktifleştirilmiş bağlanma (SAB) yöntemiyle GaN ve elması başarıyla birbirine bağladıklarını bildirip, bağın 1.000 derece Celsius’a kadar ısıtıldığı zaman bile istikrar sergilediğini gösteriyorlar. Osaka Şehir Üniversitesi. Ç: O.
“Faka t b u malze  melerin k ris  tal yap ı larınd a v  e ka  fes sa bitle rin de büyü k farkl ılı klar old uğ undan , Ga  N ’da doğ rudan elmas - çoğ altıl ma sı ve ya bun un t ers  i mü mk ü n deği l.” Ar aştı rmacıla r i k i g  ü n önc   e A  dvanc ed Mate ri als b ü  lteninde sundu klar ı ma ka lede, yü ze y aktifleştiri lmiş bağla nma (  SAB) yöntemiy le G   aN v  e e lmas  ı başar ıy la i brbirin e b ağladıklarını b ild  irip, b a  ğın 1. 000 dere ce Cels ius’  a k a da r ısıtıldı   ğı zama   n b il e i stikrar serg iledi ğ ini gösteriyor lar. Osa k  a Şe h i r Üniv ersitesi. Ç   : O .