Şimdiye kadar, elmas üzerinde GaN yapısı oluşturmaya yönelik çeşitli girişimler yapılmış ve bu girişimlerde iki bileşen, bir çeşit geçiş veya yapışkan katmanıyla birleştirilmeye çalışılmış. Fakat ilave katman, elmasın ısıl iletkenliğine önemli oranda müdahale etmiş ve GaN-elmas bileşiminin taşıdığı önemli bir avantajı ortadan kaldırmış.
Ş imdi ye kadar   , el m as ü   zerinde G   a y a pýsý ol u şturmaya yöne  lik eşitl i girişi ml er yap  ý lmýş v  e b   u girişi mlerde ik  i  i le şen, bi   r çe  şi t geçi  ş v e ya yapý ş kan katma nýyl a birleş t irilmeye çal ý şýlm ýş. Faka   t i  lav e ka tma  n, el mas ý n ý sýl ilet k enliğine ön eml i orand a mü daha le e t  miş v   e G aN-elmas bileş i minin ta şýd ýğ ý ö nemli bi r ava nta jý ort a d an kaldýrm ýş .