“Fakat bu malzemelerin kristal yapılarında ve kafes sabitlerinde büyük farklılıklar olduğundan, GaN’da doğrudan elmas çoğaltılması veya bunun tersi mümkün değil.” Araştırmacılar iki gün önce Advanced Materials bülteninde sundukları makalede, yüzey aktifleştirilmiş bağlanma (SAB) yöntemiyle GaN ve elması başarıyla birbirine bağladıklarını bildirip, bağın 1.000 derece Celsius’a kadar ısıtıldığı zaman bile istikrar sergilediğini gösteriyorlar. Osaka Şehir Üniversitesi. Ç: O.
“Fakat bu malzemelerin kristal yapýlarýnda ve kafes sabitlerinde büyük farklýlýklar olduğundan, GaN’da doğrudan elmas çoğaltýlmasý veya bunun tersi mümkün değil.” Araştýrmacýl
ar- iki gün önce Advanced Materials bülteninde sunduklarý makalede, yüzey aktifleştirilmiş bağlanma (SAB) yöntemiyle GaN ve elmasý başarýyla birbirine bağladýklarýný bildirip, bağýn 1.000 derece Celsius’a kadar ýsýtýldýğý zaman bile istikrar sergilediğini gösteriyorlar. Osaka Şehir Üniversitesi. Ç: O.