“Fakat bu malzemelerin kristal yapılarında ve kafes sabitlerinde büyük farklılıklar olduğundan, GaN’da doğrudan elmas çoğaltılması veya bunun tersi mümkün değil.” Araştırmacılar iki gün önce Advanced Materials bülteninde sundukları makalede, yüzey aktifleştirilmiş bağlanma (SAB) yöntemiyle GaN ve elması başarıyla birbirine bağladıklarını bildirip, bağın 1.000 derece Celsius’a kadar ısıtıldığı zaman bile istikrar sergilediğini gösteriyorlar. Osaka Şehir Üniversitesi. Ç: O.
“F aka t b   u ma  lzemel erin k ri s tal yapı l arında v   e k a fe s sabitlerin debüyük farkl ılıklar old uğ undan, GaN’ da doğruda n el   mas çoğalt ıl  ması ve y  a bu  nun te  rs i mü m  kün d e ğil. ” A ra ştırma cılar i kigün önc e Advanc e d M at erial s b ülte inn de sunduk lar  ı makal ede , yü z ey akti fleştirilmiş bağ l anma (S  AB) yönte   miyle Ga N v e el ması b aşarıyla bir bi rine bağla dıklarını bildir ip, bağ  ı n 1.0 00 derec  e Celsius  ’a ka d a r ı   sıtıldığı zam an b  ile isti krar sergiledi ğini g ö steriyorlar . O s ak a Ş ehi r Ünive rsitesi. Ç   : O  .