12.4.2006 Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej L 103/1 (Akty, których publikacja jest obowiązkowa) ROZPORZĄDZENIE RADY (WE) NR 584/2006 z dnia 10 kwietnia 2006 r. zmieniające rozporządzenie (WE) nr 1480/2003 nakładające ostateczne cło wyrównawcze i stanowiące o ostatecznym poborze cła tymczasowego nałożonego na przywóz niektórych mikroukładów elektronicznych, znanych jako pamięć DRAM (pamięć dynamiczna o dostępie bezpośrednim), pochodzących z Republiki Korei RADA UNII EUROPEJSKIEJ, uwzględniając Traktat ustanawiający Wspólnotę Europejską, uwzględniając rozporządzenie Rady (WE) nr 1515/2001 z dnia 23 lipca 2001 r. w sprawie środków, które Wspólnota może podjąć po przyjęciu przez organ ds. rozstrzygania sporów WTO sprawozdania dotyczącego zagadnień antydumpingowych i antysubsydyjnych (!), uwzględniając rozporządzenie Rady (WE) nr 2026/97 z dnia 6 października 1997 r. w sprawie ochrony przed przywozem towarów subsydiowanych z krajów niebędących członkami Wspólnoty Furopejskiej (?) („rozporządzenie podstawowe”), uwzględniając wniosek przedłożony przez Komisję po konsul- tacjach z Komitetem Doradczym, a także mając na uwadze, co następuje: A. PROCEDURA 1. Obowiązujące środki () Na mocy rozporządzenia (WE) nr 1480/2003 (*) („rozporządzenie ostateczne”) Rada nałożyła ostateczne cło wyrównawcze w wysokości 348 % na przywóz niektórych mikroukładów elektronicznych, znanych jako pamięci DRAM (pamięci dynamiczne o dostępie bezpośrednim), pochodzących z Republiki Korei, produ- kowanych przez wszystkie przedsiębiorstwa z wyjątkiem (!) Dz.U. L 201 z 26.7.2001, str. 10. () Dz.U. L 288 z 21.10.1997, str. 1. Rozporządzenie ostatnio zmie- nione rozporządzeniem (WE) nr 461/2004 (Dz.U. L 77 z 13.3.2004, str. 12). (*) Dz.U. L 212 z 22.8.2003, str. 1. Rozporządzenie ostatnio zmie- nione rozporządzeniem (WE) nr 2116/2005 (Dz.U. L 340 z 23.12.2005, str. 7). Samsung Electronics Co., Ltd („Samsung”), w stosunku do którego ustanowiono stawkę cła w wysokości 0 %. Rozporządzenie ostateczne zostało poprzedzone rozpo- rządzeniem Komisji (WE) nr 708/2003 z dnia 23 kwietnia 2003 r. nakładającym tymczasowe cło wyrów- nawcze na przywóz niektórych mikroukładów elektro- nicznych, znanych jako pamięć DRAM (pamięć dyna- miczna o dostępie bezpośrednim), pochodzących z Republiki Korei (+) („rozporządzenie tymczasowe”). (2) W dochodzeniu, które doprowadziło do nałożenia obowiązujących środków („dochodzenie pierwotne”) współpracowało dwóch producentów eksportujących z siedzibą w Republice Korei: Samsung, w odniesieniu do którego ustalono, że nie otrzymuje subsydiów, oraz Hynix — Semiconductor — Inc. — (sfirma — Hynix'). W dochodzeniu pierwotnym przemysł wspólnotowy reprezentowany był przez dwóch producentów o większościowym udziale w łącznej wspólnotowej produkcji pamięci DRAM, tj. firmy Infineon Technologies AG z Monachium w Niemczech („Infineon”) oraz Micron Europe Ltd z Crowthorne w Zjednoczonym Królestwie („Micron”). (3)  Badanie subsydiowania oraz szkody obejmowało okres od dnia 1 stycznia 2001 r. do dnia 31 grudnia 2001 r. („okres objęty dochodzeniem, OD”). Badanie tendencji mających związek z oceną szkody obejmowało okres od dnia 1 stycznia 1998 r. do końca OD („okres badany”). 2. Sprawozdanie przyjęte przez organ ds. rozstrzy- gania sporów WTO (4) W dniu 3 sierpnia 2005 r. organ ds. rozstrzygania sporów („ORS”) Światowej Organizacji Handlu (,WTO”) przyjął sprawozdanie panelu w sprawie „Wspólnoty Europejskie — środki wyrównawcze dotyczące pochodzą- cych z Korei chipów DRAM” ('). () Dz.U. L 102 z 24.4.2003, str. 7. () WT/DS299JR.